本文標(biāo)題："鉬絲相接觸的試樣衍射圖譜光學(xué)分析儀器,材料檢測顯微鏡"

鉬絲相接觸的試樣衍射圖譜光學(xué)分析儀器,材料檢測顯微鏡

高真空下的試驗(yàn)

  低能電子衍射研究是在另外的管子內(nèi)進(jìn)行的，在所用的電子束
能量小于300電子伏的使用情況下，衍射圖譜對(duì)表面的情況是極
靈敏的，在兩種實(shí)驗(yàn)中，裝置在與嵌入晶體后面空穴的鉬絲相接
觸的試樣都能夠用從屏蔽燈絲中出來的電子轟擊加熱，樣品也都
能夠以氬離子轟擊來清洗，氬氣允許通過一個(gè)大的吸氣管來消除
研磨，研究了幾個(gè)N型和P型的，電阻率在0.3-2歐姆-厘米范圍內(nèi)
的商業(yè)級(jí)晶體。

  以已用于若干其他材料的離子轟擊清洗過程來清洗樣品，這個(gè)
過程包括：在1000℃高真空下加熱SiC晶體約100小時(shí)除去吸附的
氣體，樣品再經(jīng)幾次這樣的循環(huán)，即在約500電子太、100微安/
厘米的氬離子轟擊、加熱、使轟擊所損壞的表面退火，并且去除
轟擊時(shí)在表面或近表面捕集的氬。

  離子轟擊和1000℃加熱的清洗循環(huán)的結(jié)果如下：
  （a)在離子轟擊和加熱以后，表面是非化學(xué)計(jì)量的——可能有
著過量的碳，在高真空下長時(shí)間加熱可能由于游離碳或其他來自
體內(nèi)的雜質(zhì)的擴(kuò)散而得到表面情況惡化的結(jié)果。
  （b）若樣品吸附氧后在壓力為10毫米水銀柱數(shù)量級(jí)的氧氣中
或在真空中相繼加熱，碳很顯著地從表面去除掉。
  在所得到的適宜條件下，N型樣品的功函數(shù)決定于所給與的正
確的熱處理在4.30電子伏和4.40電子伏之間，而一個(gè)P型樣品有
著4.62電子伏的功函數(shù)，當(dāng)清洗過樣品在室溫下暴露于氧氣中的
10毫米水銀柱數(shù)量級(jí)壓力下，可以觀察到功函數(shù)的增加和光電產(chǎn)
紡的減少，曾經(jīng)注意到功函數(shù)隨吸附作用而變化的兩種方式，在
某些面上看到迅速增加，功函數(shù)的表現(xiàn)平衡值大約高于清洗表面
0.40電子伏。
  兩種吸附方式之間的差別是這樣的，認(rèn)為它們是和原子種類的
非對(duì)稱性相聯(lián)系的，這種非對(duì)稱性可以存在于二元晶體的相反的
面上，這種見解由于觀察到在同一晶體相反的同上有兩種不同方
式所證實(shí)了，因此，若在某些面上，硅在外層為主要的，相反的
面則為碳，可以預(yù)料有著兩種吸附方式，從已知硅的吸附性質(zhì)，
需要循環(huán)過程的面似乎會(huì)是那些有著碳的外層的面，已經(jīng)觀察到
相反面上的腐蝕速率的差別，但是對(duì)于這種材料象對(duì)其他二元化
合物一樣，明確地鑒定其合適的原子種類的努力尚末成功。
  隨著氧吸附后，發(fā)現(xiàn)在真空中加熱，至低達(dá)500℃時(shí)能夠部分
的恢復(fù)清洗表面的情況，由此提示，由于揮發(fā)性氧化物的揮以產(chǎn)
生了一些去除作用。

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