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本文標(biāo)題:"擴(kuò)散設(shè)備可完成擴(kuò)散和氧化-電子器件檢測顯微鏡"

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擴(kuò)散設(shè)備可完成擴(kuò)散和氧化-電子器件檢測顯微鏡

 
  用濕化學(xué)腐蝕法把原來的多晶層除去,露出原來的淀積層和氧化
物覆蓋的最初淀積的硅外延層的隔離區(qū)。所以,外延爐不僅可以生
長外延層,還可以通過氣相腐蝕和氧化,形成復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。
 
    擴(kuò)散設(shè)備也可以完成擴(kuò)散和氧化之外的任務(wù)。一種專門的技術(shù)
就是退火方法,它可以保持本體半導(dǎo)體的壽命,舉例來說,漂移晶
體管的工作很大程度上依賴于本體半導(dǎo)體的壽命。標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)散和氧
化工序會(huì)使壽命降低,不過半導(dǎo)體的壽命可用退火方法來保持。在
每次專門氧化或擴(kuò)散之后必須進(jìn)行退火;或者在整個(gè)擴(kuò)散一氧化結(jié)
束之后,單獨(dú)進(jìn)行退火。根據(jù)制造器件的具體情況,制造器件用的
爐子設(shè)備必須能夠進(jìn)行必
 

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