本文標(biāo)題："晶圓量測(cè)用工業(yè)檢測(cè)金相顯微鏡"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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制造環(huán)境的溝槽深度即時(shí)監(jiān)控上的寬頻反射與較慢的、破壞性量測(cè)方法相比之下，
乃為一可行方案。此種方法證明其解析度能匹敵顯微鏡量測(cè)法，
甚至表現(xiàn)的更佳。其量測(cè)速率與非破壞本質(zhì)顯示于實(shí)際上每片晶圓都能量測(cè)，
在生產(chǎn)參數(shù)上的漂移能夠更迅速的被察覺(jué)，同時(shí)能即時(shí)觀察到生產(chǎn)週期上的調(diào)整效應(yīng)。
此技術(shù)能于電晶體上進(jìn)行量測(cè)，表示于進(jìn)行溝槽深度量測(cè)時(shí)，在產(chǎn)品晶圓上無(wú)須加入額外的測(cè)試結(jié)構(gòu)，
所以可以降低準(zhǔn)備參數(shù)輸入階段的額外支出，一般說(shuō)來(lái)，僅僅只需要幾個(gè)簡(jiǎn)單的校準(zhǔn)步驟，
即可加入新的結(jié)構(gòu)，而且如果僅對(duì)溝槽深度的變化有興趣時(shí)，校準(zhǔn)步驟可以完全略過(guò)。
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